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Samsung 850 EVO Serial ATA III

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500GB 850 EVO, Samsung 32 layer 3D V-NAND, SATA III, 6.35 cm (2.5 ")
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Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.

Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).

Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.
Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).

Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.
L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.

Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.
Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

  • Prestazione

    • Capacità SSD:500 GB
    • Interfaccia Solid State Drive (SSD):Serial ATA III
    • Velocità di lettura:540 MB/s
    • Velocità di scrittura:520 MB/s
    • Algoritmi di sicurezza supportati:256-bit AES
    • Dimensioni di buffer del drive:512 MB
    • Velocità di trasferimento dati:6 Gbit/s
    • Lettura casuale (4KB):98000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
    • Scrittura casuale (4KB):90000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
    • Supporto S.M.A.R.T.:Si
    • Supporto TRIM:Si
    • Tempo medio tra guasti (MTBF):1500000 h
  • Design

    • Colore del prodotto:Nero
    • Fattore di forma dell'unità SSD:2.5"
  • Gestione energetica

    • Consumo energetico (inattivo):0,045 W
    • Consumo di energia (in lettura):0,1 W
    • Consumo di energia (in scrittura):0,1 W
  • Dettagli tecnici

    • Intervallo temperatura di funzionamento:0 - 70 °C
    • Intervallo di temperatura:40 - 85 °C
    • Umidità:5 - 95%
    • Shock di non-funzionamento:1500 G
    • Vibrazione di non-funzionamento:20 G
    • Dimensioni e peso

      • Larghezza:69,8 mm
      • Profondità:100 mm
      • Altezza:6,8 mm
    • Requisiti di sistema

      • Sistema operativo Windows supportato:Si
    • Altre caratteristiche

      • Interno:Si
Samsung
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